Ultra-Wideband C-Band 4-8 GHz 50W Power Amplifier ລະບົບ RF

ເຄື່ອງຂະຫຍາຍພະລັງງານຄວາມຖີ່ 50W ນີ້ແມ່ນໂມດູນ RF ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ອອກແບບມາສໍາລັບແອັບພລິເຄຊັນທີ່ຕ້ອງການພະລັງງານຜົນຜະລິດທີ່ເຂັ້ມແຂງໃນທົ່ວຂອບເຂດຄວາມຖີ່ 4GHz ຫາ 8GHz. ການນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີ GaN (Gallium Nitride) ກ້າວຫນ້າ, ມັນສະຫນອງຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານສູງ, ປະສິດທິພາບທີ່ດີເລີດ, ແລະເປັນເສັ້ນທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ໃນໄລຍະແບນວິດທີ່ກວ້າງຂວາງທັນທີທັນໃດ. ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງໄດ້ຖືກອອກແບບເພື່ອຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ຄວາມທົນທານ, ແລະການປະຕິບັດທີ່ສອດຄ່ອງໃນສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຕ້ອງການ.

ສົ່ງສອບຖາມ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

ປະສິດທິພາບບໍລະອົດແບນ: ປະຕິບັດການ seamlessly ທົ່ວ 4GHz ເຕັມ 8GHz (C-Band) spectrum ໂດຍບໍ່ມີການຕ້ອງການສໍາລັບການສະຫຼັບແຖບ.

ພະລັງງານຜົນຜະລິດສູງ: ໃຫ້ກໍາລັງຜົນຜະລິດທີ່ອີ່ມຕົວປົກກະຕິຂອງ 50 ວັດ (47dBm) ຕໍາ່ສຸດໃນທົ່ວແຖບ.

High Gain: ຄຸນສົມບັດການຮັບສັນຍານຂະຫນາດນ້ອຍປົກກະຕິຂອງ 50dB (ຂັ້ນຕ່ໍາ), ຮັບປະກັນການຂະຫຍາຍສັນຍານທີ່ມີປະສິດທິພາບຈາກແຫຼ່ງພະລັງງານຕ່ໍາ.

Excellent Gain Flatness: ຮັກສາຄວາມຮາບພຽງທີ່ສູງກວ່າປົກກະຕິ ±1.5dB ໃນໄລຍະຄວາມຖີ່ທັງໝົດເພື່ອປະສິດທິພາບທີ່ເປັນເອກະພາບ.

ປະສິດທິພາບສູງ: ປະກອບມີການອອກແບບທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, ໂດຍປົກກະຕິບັນລຸ 30% Power Added Efficiency (PAE), ຫຼຸດຜ່ອນການໂຫຼດຄວາມຮ້ອນແລະການໃຊ້ພະລັງງານ DC.

ປະສິດທິພາບ Linear ທີ່ເຂັ້ມແຂງ: ສະເຫນີຈຸດບີບອັດ 1dB ສູງ (OP1dB) ໂດຍປົກກະຕິ > 47dBm, ສະຫນັບສະຫນູນການຂະຫຍາຍທັງສອງເສັ້ນແລະການອີ່ມຕົວສໍາລັບໂຄງການ modulation ຕ່າງໆ.

Integrated Protection & Control: ລວມມີຄຸນສົມບັດດ້ານຄວາມປອດໄພທີ່ສົມບູນແບບ: ການປົກປ້ອງແຮງດັນທາງກົງກັນຂ້າມ, ການປິດອຸນຫະພູມເກີນ, ແລະ Output Overload / VSWR Protection. ການໂຕ້ຕອບແບບອະນາລັອກມາດຕະຖານສຳລັບການຄວບຄຸມອະຄະຕິ, ເປີດ/ປິດໃຊ້ງານ (TTL), ແລະການຕິດຕາມສະຖານະ.

ການຈັດການຄວາມຮ້ອນ: ຖືກອອກແບບດ້ວຍລະບົບເຮັດຄວາມເຢັນ baseplate ທີ່ມີປະສິດທິພາບເພື່ອຮັບປະກັນການດໍາເນີນງານທີ່ຫນ້າເຊື່ອຖືພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂການໂຫຼດເຕັມ. ຊ່ວງອຸນຫະພູມກໍລະນີປະຕິບັດງານ: -40°C ຫາ +85°C.

ການກໍ່ສ້າງ Ruggedized: ຢູ່ໃນຊຸດໂລຫະທີ່ແຂງແຮງ, ຜະນຶກເຂົ້າກັນໄດ້ເພື່ອປ້ອງກັນແລະທົນທານຕໍ່ສິ່ງແວດລ້ອມ, ເຫມາະສົມສໍາລັບການທະຫານ, ຍານອາວະກາດ, ແລະອຸດສາຫະກໍາ.

ບໍ່.	ລາຍລະອຽດ	ສັນຍາລັກ	ຕ່ຳສຸດ	ພິມ	ສູງສຸດ	ໜ່ວຍ	ຂໍ້ສັງເກດ
1.	ຄວາມຖີ່ຂອງການດໍາເນີນການ	BW	4000		8000	MHz
2.	ພະລັງງານປ້ອນຂໍ້ມູນ	ປັກໝຸດ		0		dBm
3.	ພະລັງງານອອກ CW	ປທ	47	48.5	49.5	dBm	ຄື້ນຕໍ່ເນື່ອງ
4.	ເພີ່ມພະລັງງານ	Gp	47		49.5	dBm	@ Pin=0 dBm
5.	Power Gain Flatness	△ Gp		±1.5		dB	@ Pin=0 dBm
6.	Small SignalGain	G	49	50.5	52	dB	@Pin=-5dBm
7.	ສັນຍານຂະໜາດນ້ອຍ Gain Flatness	△ ກ		±2		dB	@Pin=-5dBm
8.	Input Return Loss	S11		-15		dB
9.	ແຮງດັນປະຕິບັດງານ	Vdc	28	28	32	V
10.	ການບໍລິໂພກໃນປະຈຸບັນ	A		6	8	A	@ປຸ້ຍ=50~90W
11.	ອຸນຫະພູມເຮັດວຽກ		-40 ℃ ~ + 50 ℃
12.	RF Connector Input		SMA, ເພດຍິງ
13.	RF Connector Output		SMA, ເພດຍິງ
14.	ນ້ຳໜັກ			0.439	0.50	ກກ
15.	ຄວາມຍາວກວ້າງລວງສູງ		1348022			ມມ
16.	ພະລັງງານປ້ອນຂໍ້ມູນ	PinMax	-5		5	dBm
17.	ຄໍານິຍາມຂອງການໂຕ້ຕອບ (ເພດຍິງ 7W2)	VDD	A1	ດິນ
		GND	A2	28Vdc
		ຄວາມຮູ້ສຶກປັດຈຸບັນ	1	ແຮງດັນອະນາລັອກທຽບກັບປັດຈຸບັນຂອງໂມດູນ @100mV/A
		ຄວາມຮູ້ສຶກຂອງອຸນຫະພູມ	2	ແຮງດັນອະນາລັອກທຽບກັບ Module'sTemperature@10mV/℃
		ເປີດໃຊ້	3	ເປີດໃຊ້ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ			ເປີດໃຊ້ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ: TTL Logic High (3.3V) (ດຶງພາຍໃນ-ຕໍ່າ)
		GND	4	ດິນ
	ຂະຫນາດໂດຍລວມ	ໝາຍເຫດ: 1, ຂະໜາດລວມແມ່ນສຳລັບການອ້າງອີງເທົ່ານັ້ນ; 2, ຂະຫນາດສາມາດເພີ່ມຂຶ້ນຫຼືຫຼຸດລົງຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ; 3, ຕໍາແຫນ່ງຂອງການໂຕ້ຕອບການປ້ອນຂໍ້ມູນ, ການໂຕ້ຕອບຜົນຜະລິດແລະການໂຕ້ຕອບການສະຫນອງພະລັງງານສາມາດປ່ຽນໄດ້ຕາມຄວາມຕ້ອງການຕົວຈິງຂອງລູກຄ້າ;

Hot Tags: Ultra-Wideband C-Band 4-8 GHz 50W Power Amplifier ລະບົບ RF, ຈີນ, ຜູ້ຜະລິດ, ຜູ້ສະຫນອງ, ຂາຍສົ່ງ, ໂຮງງານຜະລິດ, Customized, ຍີ່ຫໍ້, ຄຸນນະພາບ, ຮັບປະກັນ 1 ປີ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ປະເພດທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ